此工程為測定pattern是否與客戶所design之pattern相同的工程。在所有領域，將特定CD所分佈之程度由CD uniformity顯示，其值之分佈需在特定值以內，且CD值之平均值也需在客戶要求之值內，不可超過特定值以上。
測定之方法可分成光學方法和電子beam方法。Laser的方法是藉由取得對物鏡所反射出之光學影像，選定一定之基準值(Threshold)後，測定光學image左右側面間之距離；電子beam的方法是利用注射之電子beam所發生之第二回電子分佈，以threshold值之間的距離測定CD。線寬測定之種類可分成Dark(測定CD是Chrome或是MoSiON)和Clear(測定CD是Quartz)。

將客戶design之基準mask pattern與實際製造出之mask pattern做比較後，測定其相對位置之準確度的工程。對於Reference pattern和實際pattern間之差異，x方向及y方向之值不可超過特定值。且Pattern旋轉方向之傾度也需在特定值以下。