公司產品 》 光罩製程 》 Process Flow ○○○○
　
 

在Quartz上sputtering Cr/CrO2後在其上coating resist。
　 　

使用Laser lithography equipemnt，在PR layer表面形成pattern。
　 　

進行Develop形成resist之pattern。
　 　 　

在Cr/CrO2層上使用乾式蝕刻裝置進行蝕刻。
　 　

Strip Resist後進行cleaning。
　 　 　

測定Dark (Cr/CrO2) pattern或space (Quartz) pattern之CD(critical dimension)。

在Mask上測定pattern之position accuracy。
　

檢驗design pattern以外之defect並進行修正。
　 　

透過cleaning去除particle。
　 　 　

為防止污染mask pattern，附蓋pellicle。
　 　
　
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