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Slit Mask

slitmask1

Slit mask不是在曝光领域直接曝光,而是经由狭 窄的线曝光。与一般曝光比起来,会降低光量并因回折的效果,仅有部分photoresist被曝光而剩下薄层的photoresist,使非曝光、全面曝光、部分曝光之三领域合成为一张mask。使用该mask时,在经由全面曝光所形成之pattern部分做第一回etch后,透过ashing工程,部分曝光之领域被patterning,再由第二回工程将部分曝光的部分蚀刻掉。此表示,本来需要2mask的工程,因slit mask,仅用1张即可进行工程,使工程简单化。利用slit mask之工程举例如下:

 

1. Glassvacuum evaporate后,利用gate metal形成gate pattern,蚀刻gate metal形成Gate电极。 Vacuum evaporate Active layerSource-drain layer后涂抹PR

 slitmask2

2. 

2. 利用Mask投射光线曝光后,去除掉曝光之PR,此时slit部会留下25%左右之PR

 slitmask3

3. 湿式蚀刻Source/Drain layer

 slitmask4

4. 干式蚀刻Active layer

 slitmask5

5. 在曝光工程部分留在slit部的PR经由Ashing工程去除后,湿式蚀刻Source/ Drain layer

 

 slitmask6

6. 干式蚀刻N+layer

 slitmask7

7. 彻底去除PR后形成TFT

  slitmask8