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蝕刻

什麼是蝕刻?
 
  蝕刻是利用化學或物理程序來選擇性地移除依照設計而在表面形成的Cr/CrO層。溼蝕刻(化學蝕刻)和乾蝕刻(電漿或離子蝕刻,也就是物理蝕刻)都是現今光罩製程常用的方式,當精細度要求較高時,較常選擇乾蝕刻的方式。
一般來說乾蝕刻依照產生電漿的模式分三種:(1) PE (Plasma Etching), (2) RIE (Reactive Ion Etching) , and (3) ICP (Inductively Coupled Plasma).


  
  完成develop工程後Resist會形成pattern,將此resist使用為masking layer後蝕刻下方的Cr層。此時,為蝕刻Cr層,大多使用wet etch及dry etch的方法。Wet etch常使用於製造low grade mask時,但因etch bias很大,無法製造high-end photomask。Dry etch則使用於high-end photomask,此容易形成pattern且易於CD control。