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Slit Mask

slitmask1

Slit mask不是在曝光領域直接曝光,而是經由狹 窄的線曝光。與一般曝光比起來,會降低光量並因回折的效果,僅有部分photoresist被曝光而剩下薄層的photoresist,使非曝光、全面曝光、部分曝光之三領域合成為一張mask。使用該mask時,在經由全面曝光所形成之pattern部分做第一回etch後,透過ashing工程,部分曝光之領域被patterning,再由第二回工程將部分曝光的部分蝕刻掉。此表示,本來需要2mask的工程,因slit mask,僅用1張即可進行工程,使工程簡單化。利用slit mask之工程舉例如下:

 

1. Glassvacuum evaporate後,利用gate metal形成gate pattern,蝕刻gate metal形成Gate電極。 Vacuum evaporate Active layerSource-drain layer後塗抹PR

 slitmask2

2. 利用Mask投射光線曝光後,去除掉曝光之PR,此時slit部會留下25%左右之PR

 slitmask3

3. 溼式蝕刻Source/Drain layer

 slitmask4

4. 乾式蝕刻Active layer

 slitmask5

5. 在曝光工程部分留在slit部的PR經由Ashing工程去除後,溼式蝕刻Source/ Drain layer

 slitmask6

6. 乾式蝕刻N+layer

 slitmask7

7. 徹底去除PR後形成TFT

  slitmask8