Slit Mask

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Slit mask不是在曝光領域直接曝光，而是經由狹 窄的線曝光。與一般曝光比起來，會降低光量並因回折的效果，僅有部分photoresist被曝光而剩下薄層的photoresist，使非曝光、全面曝光、部分曝光之三領域合成為一張mask。使用該mask時，在經由全面曝光所形成之pattern部分做第一回etch後，透過ashing工程，部分曝光之領域被patterning，再由第二回工程將部分曝光的部分蝕刻掉。此表示，本來需要2張mask的工程，因slit mask，僅用1張即可進行工程，使工程簡單化。利用slit mask之工程舉例如下：

 

1. 在Glass上vacuum evaporate後，利用gate metal形成gate pattern，蝕刻gate metal形成Gate電極。　Vacuum evaporate Active layer及Source-drain layer後塗抹PR。

 

2. 利用Mask投射光線曝光後，去除掉曝光之PR，此時slit部會留下25%左右之PR。

 

3. 溼式蝕刻Source/Drain layer。

 

4. 乾式蝕刻Active layer

 

5. 在曝光工程部分留在slit部的PR經由Ashing工程去除後，溼式蝕刻Source/ Drain layer。

 

6. 乾式蝕刻N+layer。

 

7. 徹底去除PR後形成TFT。