光罩製程

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在Quartz上sputtering Cr/CrO2後在其上coating resist。

 

使用Laser lithography equipemnt，在PR layer表面形成pattern。

 

進行Develop形成resist之pattern。

 

在Cr/CrO2層上使用濕式蝕刻裝置進行蝕刻。

 

Strip Resist後進行cleaning。

 

測定Dark (Cr/CrO2) pattern或space (Quartz) pattern之CD(critical dimension)。

 

在Mask上測定pattern之position accuracy。

 

檢驗design pattern以外之defect並進行修正。

 

透過cleaning去除particle。

 

為防止污染mask pattern，附蓋pellicle。