CD(critical dimension) 测定
此工程为测定pattern是否与客户所design之pattern相同的工程。在所有领域,将特定CD所分布之程度由CD uniformity显示,其值之分布需在特定值以内,且CD值之平均值也需在客户要求之值内,不可超过特定值以上。
测定之方法可分成光学方法和电子beam方法。Laser的方法是藉由取得对物镜所反射出之光学影像,选定一定之基准值(Threshold)后,测定光学image左右侧面间之距离;电子beam的方法是利用注射之电子beam所发生之第二回电子分布,以threshold值之间的距离测定CD。线宽测定之种类可分成Dark(测定CD是Chrome或是MoSiON)和Clear(测定CD是Quartz)。
Registration
将客户design之基准mask pattern与实际制造出之mask pattern做比较后,测定其相对位置之准确度的工程。对于Reference pattern和实际pattern间之差异,x方向及y方向之值不可超过特定值。且Pattern旋转方向之倾度也需在特定值以下。