Slit Mask
Slit mask不是在曝光领域直接曝光，而是经由狭 窄的线曝光。与一般曝光比起来，会降低光量并因回折的效果，仅有部分photoresist被曝光而剩下薄层的photoresist，使非曝光、全面曝光、部分曝光之三领域合成为一张mask。使用该mask时，在经由全面曝光所形成之pattern部分做第一回etch后，透过ashing工程，部分曝光之领域被patterning，再由第二回工程将部分曝光的部分蚀刻掉。此表示，本来需要2张mask的工程，因slit mask，仅用1张即可进行工程，使工程简单化。利用slit mask之工程举例如下：
1. 在Glass上vacuum evaporate后，利用gate metal形成gate pattern，蚀刻gate metal形成Gate电极。 Vacuum evaporate Active layer及Source-drain layer后涂抹PR。
2.
2. 利用Mask投射光线曝光后，去除掉曝光之PR，此时slit部会留下25%左右之PR。
3. 湿式蚀刻Source/Drain layer。
4. 干式蚀刻Active layer
5. 在曝光工程部分留在slit部的PR经由Ashing工程去除后，湿式蚀刻Source/ Drain layer。
6. 干式蚀刻N+layer。
7. 彻底去除PR后形成TFT。
