蚀刻
什么是蚀刻?
蚀刻是利用化学或物理程序来选择性地移除依照设计而在表面形成的Cr/CrO层。湿蚀刻（化学蚀刻）和干蚀刻（电浆或离子蚀刻，也就是物理蚀刻）都是现今掩膜制程常用的方式，当精细度要求较高时，较常选择干蚀刻的方式。
一般来说干蚀刻依照产生电浆的模式分三种：(1) PE (Plasma Etching), (2) RIE (Reactive Ion Etching) , and (3) ICP (Inductively Coupled Plasma).
完成develop工程后Resist会形成pattern，将此resist使用为masking layer后蚀刻下方的Cr层。此时，为蚀刻Cr层，大多使用wet etch及dry etch的方法。Wet etch常使用于制造low grade mask时，但因etch bias很大，无法制造high-end photomask。Dry etch则使用于high-end photomask，此容易形成pattern且易于CD control。